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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTMD4N03R2G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R

内部编号

277-NTMD4N03R2G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:2020
2500+¥1.339
最小起订量:2500
英国伦敦
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#2

数量:2020
10+¥3.333
20+¥3.001
50+¥2.887
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTMD4N03R2G产品详细规格

规格书 NTMD4N03R2G datasheet 规格书
NTMD4N03R2
NTMD4N03R2G datasheet 规格书
文档 Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change 20/Aug/2008
标准包装 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4A
Rds(最大)@ ID,VGS 60 mOhm @ 4A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 16nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 400pF @ 20V
功率 - 最大 2W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOICN
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated 80-4-5

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